Prague, Machi 20, 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., inayoongoza ulimwenguni katika teknolojia ya hali ya juu ya kumbukumbu, inaleta uhifadhi wa utendaji wa juu wa 128GB 3bit NAND kwa vifaa vya rununu, ambayo inategemea teknolojia ya MultiMedia Iliyopachikwa.Card (eMMC) 5.0. Bendera kati ya simu mahiri tayari zinabadilisha hadi hifadhi ya kumbukumbu ya 128GB kulingana na viwango vya Universal Flash Storage (UFS) 2.0 au EMMC 5.1. Vile vile, hata simu mahiri za masafa ya kati sasa zitaweza kuongeza uwezo wao 128 GB shukrani kwa hazina mpya Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Chip hii ya kumbukumbu ina uwezo mkubwa zaidi ndani ya kiwango cha eMMC 5.0.
“Kwa kuzinduliwa kwa mfululizo wetu wa 3bit eMMC 5.0 wa NAND, tunatarajia kuongoza katika upanuzi wa hifadhi ya simu ya mkononi yenye uwezo wa juu. Tunaendelea kukuza toleo letu la kumbukumbu ya rununu kwa utendakazi ulioboreshwa na uwezo wa juu ili kukidhi mahitaji ya wateja yanayokua katika tasnia ya simu za rununu. Alisema Dk. Jung-Bae Lee, makamu mkuu wa rais wa Timu ya Upangaji wa Bidhaa ya Kumbukumbu na Uhandisi wa Utumiaji katika Samsung Electronics.
Kusoma kwa mfululizo data ya hifadhi mpya ya 128GB eMMC 5.0 kutoka Samsung inaendeshwa kwa kasi 260 MB / s. Huu ni utendakazi sawa na kumbukumbu ya MLC eMMC 5.1 yenye msingi wa NAND. Utendaji wa kusoma na kuandika bila mpangilio je 6000 IOPS, kwa mtiririko huo 5000 IOPS, ambayo ina kasi ya kutosha kuauni video za ufafanuzi wa juu na vitendaji vya juu vya kufanya kazi nyingi. Ikilinganishwa na kadi za kumbukumbu za nje, kasi hizi za kusoma na kuandika ni takriban mara 4 a Mara 10 juu.
Mfululizo mpya wa 3bit eMMC 5.0 unapanua biashara ya Samsung kutoka kwa kusambaza SSD za vituo vya data, seva na kompyuta hadi soko zima la hifadhi ya simu. Samsung itaendelea kutambulisha kumbukumbu za 3-bit NAND Flash kupitia ukuzaji wa suluhisho za utendakazi wa hali ya juu na zenye uwezo wa juu, na pia kuendelea kuimarisha ushindani wa biashara yake ya teknolojia ya kumbukumbu.
//
//
