Samsung leo ilianza uzalishaji wa wingi wa moduli zake mpya za DDR3 DRAM kwa kutumia mchakato wa utengenezaji wa nanometer 20. Moduli hizi mpya zina uwezo wa 4Gb, yaani 512MB. Walakini, kumbukumbu inayopatikana ya moduli za kibinafsi sio kipengele chao cha msingi. Maendeleo yanapatikana katika utumiaji wa mchakato mpya wa uzalishaji, ambao husababisha hadi 25% ya chini ya matumizi ya nishati ikilinganishwa na mchakato wa zamani wa nanometer 25.
Kuhamia kwa teknolojia ya 20-nm pia ni hatua ya mwisho ambayo hutenganisha kampuni kutoka kwa kuanzia uzalishaji wa modules za kumbukumbu kwa kutumia mchakato wa 10-nm. Teknolojia inayotumika sasa katika moduli mpya pia ni ya juu zaidi kwenye soko na inaweza kutumika sio tu na kompyuta bali pia na vifaa vya rununu. Kwa kompyuta, hii ina maana kwamba Samsung sasa inaweza kuunda chips na ukubwa sawa, lakini kwa kumbukumbu kubwa zaidi ya uendeshaji. Samsung pia ilibidi kurekebisha teknolojia yake iliyopo ili kuweza kufanya chipsi kuwa ndogo huku ikidumisha mbinu ya sasa ya utengenezaji.
- Huenda ukavutiwa na: Samsung imetengeneza kumbukumbu ya kwanza ya 8Gb LPDDR4 ya simu ya DRAM
