Samsung Electronics imetangaza kwamba imeanza uzalishaji wa wingi wa moduli za kumbukumbu za juu zaidi za 4GB DDR8, pamoja na moduli za kwanza za 32GB DDR4 RAM kwa seva za kampuni. RAM hizi mpya zinatengenezwa kwa kutumia mchakato mpya wa utengenezaji wa 20-nm, ambao ni mchakato ule ule unaotumika kutengeneza hata vichakataji vya rununu vya juu zaidi leo. Samsung inadai kuwa moduli hizi za kumbukumbu zinakidhi mahitaji yote ya utendakazi wa hali ya juu, msongamano mkubwa na kuokoa nishati katika seva za kampuni za kizazi kijacho.
Kwa kuongezea, kwa moduli mpya za 8Gb DDR4, Samsung ilikamilisha safu nzima ya moduli za DRAM zilizotengenezwa kwa kutumia mchakato wa utengenezaji wa 20-nm. Leo, mfululizo huu unajumuisha 6Gb LPDDR3 kwa vifaa vya rununu na moduli za 4Gb DDR3 za Kompyuta. Halafu, kama ilivyotajwa hapo juu, Samsung inaanza kutoa moduli za kumbukumbu za 32GB RDIMM ambazo hutoa kiwango cha uhamishaji cha 2 Mbps kwa pini, ambayo ni ongezeko la asilimia 400 la utendaji ikilinganishwa na kiwango cha uhamishaji cha 29 Mbps cha kumbukumbu ya seva DDR1. Lakini uwezo wa teknolojia hii hauacha kwenye GB 866 na Samsung imesema kuwa kwa kutumia teknolojia ya 3D TSV inawezekana kuendeleza hadi moduli ya kumbukumbu ya 32 GB. Faida ya moduli mpya pia ni matumizi ya chini yaliyotajwa, kwani chips hizi za DDR3 zinahitaji volts 128, ambayo kwa sasa ni voltage ya chini kabisa.
//
//
*Chanzo: Samsung
